SEARCH

検索詳細
Last Updated :2024/04/12

鈴木　孝将

工学部
教授

研究者情報

■ 学位
  • 博士(理学), 東京工業大学
■ 研究キーワード
  • 走査型プローブ顕微鏡
  • 有機-無機半導体ハイブリッド構造
  • 半導体表面
■ 研究分野
  • 自然科学一般, 半導体、光物性、原子物理, 電子材料、半導体表面物性、ナノエレクトロニクス
  • ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

経歴

■ 経歴
  • 2012年 - 現在
    福岡大学 工学部 教授
  • 2015年 - 2016年
    在外研究員、Chemistry department, Warwick University, Coventry, UK.
  • 2010年 - 2012年
    福岡大学 工学部 准教授
  • 2006年 - 2009年
    Researcher, Nanoscale Science Department, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany.
  • 2004年 - 2006年
    Visiting Scholar, Chemistry Department, University of Pittsburgh, Pittsburgh, USA.
  • 2003年 - 2004年
    Researcher, Physical Chemistry Department, Fritz-Haber-Institute der MPG, Berlin, Germany.
  • 2002年 - 2003年
    九州大学大学院 理学府 助教授
  • 2001年 - 2002年
    Alexander von Humboldt Fellow, Physical Chemistry Department, Fritz-Haber-Institute der MPG, Berlin, Germany.
  • 2000年 - 2001年
    東京大学 物性研究所 COE 研究員
  • 1998年 - 2000年
    日本学術振興会・特別研究員(PD)
  • 1995年 - 1998年
    日本学術振興会・特別研究員(DC1)
■ 学歴
  • 1995年 - 1998年
    東京工業大学, 理工学研究科, 物理学専攻
  • 1989年 - 1993年
    東京工業大学, 理学部, 物理学科
■ 委員歴
  • 2022年04月 - 現在
    九州支部 副支部長, 日本表面真空学会
  • 2018年04月 - 2022年03月
    九州支部役員, 日本表面真空学会
  • 2016年10月 - 2017年09月
    領域9運営委員, 日本物理学会

研究活動情報

■ 論文
  • The √7×√3-In surface reconstruction consisting of triple layer on the Si(111) surface
    Takayuki Suzuki; Kazuma Yagyu
    Surface Science, 2023年12月03日, 査読有り
    筆頭著者
  • Formation of the incommensurate Si(111)-∼5.4 × ∼5.4-In surface
    Takayuki Suzuki; Kazuma Yagyu
    Surface Science, 2022年08月27日, 査読有り
    筆頭著者
  • Hydrogen etching of the SiC(0001) surface at moderate temperature
    Toshiya Hamasaki; Kazuma Yagyu; Hisashi Mitani; Takashi Nishida; Hiroshi Tochihara; Takayuki Suzuki
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 2021年07月30日, 査読有り
  • Microscopic Hopping Mechanism of Isolated PTCDA Molecule on Reactive Ge(001)
    T. Shiota; W. Mizukami; H. Tochihara; K. Yagyu; T. Suzuki; Y. Aoki
    The Journal of Physical Chemistry C, 2020年10月29日, 査読有り
  • Initial growth of pentacene on a Si(111)-√7×√3-In surface
    T. Suzuki; K. Yagyu; H. Tochihara
    Physical Chemistry Chemical Physics, 2020年06月24日, 査読有り
    筆頭著者
  • Surface structural phase transition induced by the formation of metal-organic networks on the Si(111)-√7×√3 -In surface
    T. Suzuki; J. Lawrence; J.M. Morbec; P. Kratzer; G. Costantini
    Nanoscale, 2019年11月, 査読有り
    筆頭著者
  • Self-ordering of chemisorbed PTCDA molecules on Ge(001) driven by repulsive forces
    P. Kocán; B. Pieczyrak; L. Jurczyszyn; Y. Yoshimoto; K. Yagyu; H. Tochihara; T. Suzuki
    Physical Chemistry Chemical Physics, 2019年04月15日, 査読有り
  • Initial Growth of Pentacene Thin Film on Si(001) substrate
    T. Suzuki; K. Yagyu; H. Tochihara
    The Journal of Physical Chemistry C, 2019年01月29日, 査読有り
    筆頭著者
  • Indium coverage of the Si(111)-√7×√3-In surface
    T. Suzuki; J. Lawrence; M. Walker; J.M. Morbec; P. Blowey; K. Yagyu; P. Kratzer; G. Costantini
    Physical Review B, 2017年07月, 査読有り
    筆頭著者
  • Theoretical Study of Cu Intercalation through a Defect in Zero-Layer Graphene on SiC Surface
    Yuuichi Orimoto; Kohei Otsuka; Kazuma Yagyu; Hiroshi Tochihara; Takayuki Suzuki; Yuriko Aoki
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017年04月, 査読有り
  • Neutralization of an epitaxial graphene grown on a SiC(0001) by means of palladium intercalation
    Kazuma Yagyu; Kazutoshi Takahashi; Hiroshi Tochihara; Hajime Tomokage; Takayuki Suzuki
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017年03月, 査読有り
  • Adsorption of PTCDA on Ge(001)
    P. Kocan; Y. Yoshimoto; K. Yagyu; H. Tochihara; T. Suzuki
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017年02月, 査読有り
  • Chlorine adlayer-templated growth of a hybrid inorganic–organic layered structure on Au(111)
    I.I. Rzeźnicka; H. Horino; K. Yagyu; T. Suzuki; S. Kajimoto; H. Fukumura
    Surface Science, 2016年10月, 査読有り
  • Adsorption of PTCDA on Si(001)-2×1 surface
    T. Suzuki; Y. Yoshimoto; K. Yagyu; H. Tochihara
    The Journal of Chemical Physics, 2015年03月, 査読有り
    筆頭著者
  • SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション
    柳生数馬; 田尻恭之; 香野淳; 高橋和敏; 栃原浩; 友景肇; 鈴木孝将
    真空, 2014年07月, 査読有り
  • Fabrication of a single layer graphene by copper intercalation on a SiC(0001) surface
    Kazuma Yagyu; Takayuki Tajiri; Atsushi Kohno; Kazutoshi Takahashi; Hiroshi Tochihara; Hajime Tomokage; Takayuki Suzuki
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年02月
  • Scanning tunneling microscopic and spectroscopic studies on a crystalline silica monolayer epitaxially formed on hexagonal SiC(000(1)over-bar) surfaces
    Hiroshi Tochihara; Tetsuroh Shirasawa; Takayuki Suzuki; Toshio Miyamachi; Takashi Kajiwara; Kazuma Yagyu; Shunsuke Yoshizawa; Toshio Takahashi; Satoru Tanaka; Fumio Komori
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014年02月
  • Surface morphology of MnSi thin films grown on Si(111)
    T. Suzuki; T. Lutz; B. Geisler; P. Kratzer; K. Kern; G. Costantini
    Surface Science, 2013年11月, 査読有り
    筆頭著者
  • Growth mode and atomic structure of MnSi thin films on Si(111)
    B. Geisler; P. Kratzer; T. Suzuki; T. Lutz; G. Costantini; K. Kern
    PHYSICAL REVIEW B, 2012年09月, 査読有り
  • 電子定在波とフリーデル振動
    長谷川幸雄; 小野雅紀; 鈴木孝将; 江口豊明
    日本物理学会誌, 2012年01月, 査読有り
  • Terephthalic acid (TPA) on Si(111)-α and β-(√3×√3)-Bi surfaces: Effect of Bi coverage
    T. Suzuki; T. Lutz; G. Costantini; K. Kern
    Surface Science, 2011年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • Electronic decoupling of an epitaxial graphene monolayer by gold intercalation
    Isabella Gierz; Takayuki Suzuki; R. Thomas Weitz; Dong Su Lee; Benjamin Krauss; Christian Riedl; Ulrich Starke; Hartmut Hoechst; Jurgen H. Smet; Christian R. Ast; Klaus Kern
    PHYSICAL REVIEW B, 2010年06月, 査読有り
  • Reversing the shape transition of InAs/GaAs (001) quantum dots by etching-induced lateral In segregation
    T. Lutz; T. Suzuki; G. Costantini; L. Wang; S. Kiravittaya; A. Rastelli; O. G. Schmidt; K. Kern
    PHYSICAL REVIEW B, 2010年05月, 査読有り
  • Silicon Surface with Giant Spin Splitting
    I. Gierz; T. Suzuki; E. Frantzeskakis; S. Pons; S. Ostanin; A. Ernst; J. Henk; M. Grioni; K. Kern; C. R. Ast
    PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2009年07月, 査読有り
  • Substrate effect on supramolecular self-assembly: from semiconductors to metals
    Takayuki Suzuki; Theresa Lutz; Dietmar Payer; Nian Lin; Steven L. Tait; Giovanni Costantini; Klaus Kern
    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2009年, 査読有り
    筆頭著者
  • Change of InAs/GaAs quantum dot shape and composition during capping
    H. Eisele; A. Lenz; R. Heitz; R. Timm; M. Daehne; Y. Temko; T. Suzuki; K. Jacobi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008年12月, 査読有り
  • "The Chemisorption of Pentacene on Si(001)-2×1"
    T. Suzuki; D.C. Sorescu; J.T. Yates
    Surface Science, 2006年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • "Charge Transport Through A Single Molecule of Dibenzo [a,j]coronene on Si(001)-2×1: Possible Coulomb Blockade"
    T. Suzuki
    e-J. Surface Science & Nanotechnology, 2006年08月, 査読有り
    筆頭著者
  • "The Chemisorption of Dibenzo[a,j]coronene on Si(001)-2×1"
    T. Suzuki; D.C. Sorescu; K.D. Jordan; J.T. Yates
    The Journal of Chemical Physics, 2006年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • "The Chemisorption of Coronene on Si(001)-2×1"
    T. Suzuki; D.C. Sorescu; K.D. Jordan; J. Levy; J.T. Yates
    The Journal of Chemical Physics, 2006年02月, 査読有り
    筆頭著者
  • "Formation of Carbon-induced Dimer Vacancy Defects on Si(001)-2×1 by Thermal Decomposition of Organic Molecules-Lack of Dependence on the Molecules’ Structure"
    T. Suzuki; P. Maksymovych; J. Levy; J.T. Yates
    Surface Science, 2006年01月, 査読有り
    筆頭著者
  • "Localized Deposition of Coronene Molecules on Si(001)-2×1 Using an STM Tip Source"
    T. Suzuki; J. Levy; J.T. Yates
    Nano Letters, 2006年01月, 査読有り
    筆頭著者
  • The atomic structure of InAs quantum dots on GaAs(112)A
    T Suzuki; Y Temko; MC Xu; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2005年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • Molecular-beam-epitaxy grown InAs islands on nominal and vicinal GaAs(2511)A surfaces
    Y Temko; T Suzuki; MC Xu; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2005年10月, 査読有り
  • Shape transition of InAs quantum dots on GaAs(001)
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005年10月, 査読有り
  • On the location of InAs quantum dots on GaAs(001)
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2005年09月, 査読有り
  • InAs wetting layer evolution on GaAS(001)
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2005年04月, 査読有り
  • Evolution of InAs quantum dot shape on GaAs((114)over-bar)B
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2005年02月, 査読有り
  • Shape transition of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(114)A
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    PHYSICAL REVIEW B, 2005年02月, 査読有り
  • InAs quantum dots on GaAs((25)over-bar1(1)over-bar)B: STM and photoluminescence studies
    Y Temko; T Suzuki; MC Xu; K Potschke; D Bimberg; K Jacobi
    PHYSICAL REVIEW B, 2005年01月, 査読有り
  • Structure of the GaAs((1)over-bar(1)over-bar(2)over-bar)B surface
    T Suzuki; Y Temko; MC Xu; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2004年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • InAs quantum dots on GaAs((1)over-bar(1)over-bar(2)over-bar)B
    T Suzuki; Y Temko; MC Xu; K Jacobi
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • Lattice defects in InAs quantum dots on the GaAs(315)over-barB surface
    T Suzuki; Y Temko; MC Xu; K Jacobi
    PHYSICAL REVIEW B, 2004年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • Mature InAs quantum dots on the GaAs(114)A surface
    MC Xu; Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004年03月, 査読有り
  • Surface morphology and structure of the bare and InAs-covered GaAs(315)B surface
    T Suzuki; Y Temko; MC Xu; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2004年01月, 査読有り
    筆頭著者
  • InAs quantum dots on the GaAs((5)over-bar (2)over-bar (11)over-bar)B surface
    Y Temko; T Suzuki; MC Xu; K Jacobi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003年11月, 査読有り
  • InAs quantum dots grown on the GaAs(113)A and GaAs((1)over-bar(1)over-bar(1)over-bar)B surfaces: A comparative STM study
    Y Temko; T Suzuki; P Kratzer; K Jacobi
    PHYSICAL REVIEW B, 2003年10月, 査読有り
  • Shape and growth of InAs quantum dots on GaAs(113)A
    Y Temko; T Suzuki; K Jacobi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003年03月, 査読有り
  • Shape, size, and number density of InAs quantum dots grown on the GaAs((1)over-bar(1)over-bar(3)over-bar)B surface at various temperatures
    T Suzuki; Y Temko; K Jacobi
    PHYSICAL REVIEW B, 2003年01月, 査読有り
    筆頭著者
  • Modification of electron density in surface states: Scanning tunnelling microscopy observation of standing waves on Pd overlayers
    Y. Hasegawa; Takayuki Suzuki; M. Ono; E. Ishikawa; A. Kamoshida; N. Matsuura; T. Eguchi
    Nanotechnology, 2002年12月, 査読有り
  • Modification of electron density in surface states: standing wave observation on Pd overlayers by STM
    Y Hasegawa; T Suzuki; T Sakurai
    SURFACE SCIENCE, 2002年08月, 査読有り
  • Step structure on the GaAs(2511) surface
    Y Temko; L Geelhaar; T Suzuki; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2002年07月, 査読有り
  • Growth nuclei and surface defects on GaAs((1)over-bar(1)over-bar(3)over-bar)B
    T Suzuki; Y Temko; K Jacobi
    SURFACE SCIENCE, 2002年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • Shape of InAs quantum dots grown on the GaAs ((113)over-bar) B surface
    T Suzuki; Y Temko; K Jacobi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • Single- and triple-height-step distributions on Si(111) vicinal surfaces inclined toward [(1)over-bar(1)over-bar-2] studied by reflection electron microscopy
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE SCIENCE, 2002年01月, 査読有り
    筆頭著者
  • High resolution REM studies of Si(5512) surfaces and their roughening phase transition
    Y Peng; T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE SCIENCE, 2001年11月, 査読有り
  • Electron standing-wave observation in the Pd overlayer on Au(111) and Cu(111) surfaces by scanning tunneling microscopy
    T Suzuki; Y Hasegawa; ZQ Li; K Ohno; Y Kawazoe; T Sakurai
    PHYSICAL REVIEW B, 2001年08月, 査読有り
    筆頭著者
  • Energy-filtered electron interferometry in reflection electron microscopy
    T Suzuki; Y Tanishiro; N Ishiguro; H Minoda; K Yagi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2001年04月, 査読有り
    筆頭著者
  • Energy filtering in UHV reflection electron microscopy
    Y Tanishiro; T Suzuki; N Ishiguro; H Minoda; K Yagi
    MICROBEAM ANALYSIS 2000, PROCEEDINGS, 2000年, 査読有り
  • REM studies of step creation energies and step-step interactions on Si(111) and (110) vicinal surfaces
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE REVIEW AND LETTERS, 1999年12月, 査読有り
    筆頭著者
  • Image conservation in inelastically scattered electrons in reflection electron microscopy
    Y Tanishiro; K Okamoto; T Suzuki; N Ishiguro; H Mimoda; H Miura; K Yagi; M Takeguchi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1999年11月, 査読有り
  • TED analysis of the Si(113) surface structure
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE SCIENCE, 1999年09月, 査読有り
    筆頭著者
  • REM studies of the roughening transitions of Si high index surfaces
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    THIN SOLID FILMS, 1999年04月, 査読有り
    筆頭著者
  • Design features of a new ultra-high vacuum electron microscope with an omega filter
    Y Tanishiro; K Okamoto; M Takeguchi; H Minoda; T Suzuki; K Yagi
    JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY, 1999年, 査読有り
  • “Si微斜面での通電効果と表面形態”
    八木克道; 出川雅士; 西村穂積; 鈴木孝将; 箕田弘喜; 谷城康眞
    表面科学, 1999年, 査読有り
  • “反射電子顕微鏡で見たSi高指数面と微斜面”
    鈴木孝将; 八木克道
    日本結晶学会誌, 1999年, 査読有り
    筆頭著者
  • Au adsorption induced faceting and phase transitions of facet planes on the Si[110] zone studied by UHV-REM
    K Aoki; T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE SCIENCE, 1998年06月, 査読有り
  • TED study of Si(113) surfaces
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE REVIEW AND LETTERS, 1998年02月, 査読有り
    筆頭著者
  • REM study of the Si(III) vicinal surfaces
    T Suzuki; K Yagi
    SURFACE REVIEW AND LETTERS, 1997年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • STM studies of Si(hhm) surfaces with m/h=1.4-1.5
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi; H Kitada; N Shimizu
    SURFACE SCIENCE, 1996年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • "STM studies of Si(5 5 12) 2×1 surfaces"
    T. Suzuki; H. Minoda; Y. Tanishiro; K. Yagi; T. Sueyoshi; T. Sato; M. Iwatsuki
    Surface Science, 1996年06月, 査読有り
    筆頭著者
  • REM study of high index Si(5 5 12) flat surfaces
    T Suzuki; H Minoda; Y Tanishiro; K Yagi
    SURFACE SCIENCE, 1996年03月, 査読有り
    筆頭著者
  • REM OBSERVATIONS OF THE BIRTH STAGE OF THE FLAT FACETS ON AN INNER CYLINDRICAL SILICON SURFACE
    T SUZUKI; JJ METOIS; K YAGI
    SURFACE SCIENCE, 1995年09月, 査読有り
    筆頭著者
  • STRUCTURE OF HIGH-INDEX CLEAN SI SURFACE STUDIED BY REM (HHM) SURFACE WITH M/H=1.4 TO 1.5
    T SUZUKI; K YAGI
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1994年11月, 査読有り
    筆頭著者
  • REM observations of Si(5 5 12) surfaces
    T SUZUKI; Y TANISHIRO; H MINODA; K YAGI
    ELECTRON MICROSCOPY 1994, VOLS 2A AND 2B, 1994年, 査読有り
  • REM OBSERVATIONS OF SI(HHK) SURFACES AND THEIR VICINAL SURFACES
    T SUZUKI; Y TANISHIRO; H MINODA; K YAGI; M SUZUKI
    SURFACE SCIENCE, 1993年12月, 査読有り
    筆頭著者
■ MISC
  • 令和2年度日本表面真空学会九州支部セミナー開催報告
    鈴木孝将
    表面と真空, 2021年03月
  • 令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会開催報告
    鈴木孝将
    表面と真空, 2019年08月
  • Ge表面上のPTCDA分子の吸着構造に関する研究
    鈴木孝将; 柳生数馬
    Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート, 2018年06月
  • イギリスでの在外研究を終えて
    鈴木孝将
    Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート, 2017年03月
  • 22aAJ-7 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのPdインターカレーション
    柳生 数馬; 高橋 和敏; 栃原 浩; 友景 肇; 鈴木 孝将
    日本物理学会講演概要集, 2016年
  • Si(111)-√7×√3-In表面上へのTCNQ吸着による表面構造相転移
    鈴木 孝将; Lawrence J.; Blowey P.; Costantini G.
    日本物理学会講演概要集, 2016年
  • Angle resolved photoemission spectroscopy on Pd intercalated graphenes grown on a SiC(0001) surface
    Kazuma Yagyu; Takayuki Suzuki
    Activity Report Synchrotron Light Application Center Saga University 2014-2015, 2016年
  • Si表面上の有機半導体分子の吸着構造に関する研究
    鈴木孝将; 友景 肇; 柳生数馬
    Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート, 2015年12月
  • Angle resolved photoemission spectroscopy on Cu intercalated graphenes grown on a SiC(0001) surface
    柳生 数馬; 鈴木 孝将
    Activity Report Synchrotron Light Application Center 2012-2013, 2014年06月
  • 28pPSA-43 Si(001)-2×1表面上のPTCDA分子の吸着構造のSTM観察(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
    鈴木 孝将; 吉本 芳英; 柳生 数馬; 栃原 浩
    日本物理学会講演概要集, 2014年03月05日
  • 28aAQ-2 SiC上エピタキシャルグラフェンに対する銅のインターカレーション(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))
    柳生 数馬; 田尻 恭之; 香野 淳; 高橋 和敏; 栃原 浩; 友景 肇; 鈴木 孝将
    日本物理学会講演概要集, 2014年03月05日
  • 27pAP-6 SiC上の結晶性シリカシートのSTM観察とそのバンドギャップ(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
    栃原 浩; 小森 文夫; Kruger Peter; Pollmann Jahannes; 白澤 徹郎; 鈴木 孝将; 宮町 俊生; 梶原 隆司; 柳生 数馬; 吉澤 俊介; 高橋 敏男; 田中 悟
    日本物理学会講演概要集, 2014年
  • ドイツとアメリカの研究生活
    鈴木 孝将
    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan, 2013年09月10日
  • 26pPSA-28 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着2(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
    柳生 数馬; 友景 肇; 鈴木 孝将; 田尻 恭之; 香野 淳
    日本物理学会講演概要集, 2013年03月26日
  • 26pPSA-3 Si(111)-7×7表面上のMnSi薄膜の成長と構造(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
    鈴木 孝将; Geisler B.; Kratzer P.; Lutz T.; Costantini G.; Kern K.
    日本物理学会講演概要集, 2013年03月26日
  • 19aEC-3 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
    柳生 数馬; 友景 肇; 鈴木 孝将
    日本物理学会講演概要集, 2012年08月24日
  • 26pPSB-29 Si(001)表面上のペンタセン薄膜の初期成長(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
    能方 駿介; 友景 肇; 柳生 数馬; 鈴木 孝将
    日本物理学会講演概要集, 2012年03月05日
  • 26pPSB-30 SiC(0001)表面における銅蒸着グラフェン膜の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
    柳生 数馬; 友景 肇; 鈴木 孝将
    日本物理学会講演概要集, 2012年03月05日
  • 28aXC-7 反射電子顕微鏡法におけるenergy-filtered electron interferometry II
    谷城 康眞; 鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 2001年03月09日
  • 24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング
    石黒 菜美; 鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 2000年03月10日
  • 22aT-11 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
    鈴木 孝将; 石黒 菜美; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 2000年03月10日
  • 27a-PS-16 Si微斜面の熱平衡形状への移行の初期過程のREM観察II
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 1998年09月05日
  • 31a-PS-13 Si微斜面と高指数表面のREM観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘善; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 1998年03月10日
  • 7a-PS-24 Si基板上に成長させたSi粒子の形状のSEM観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 1997年09月16日
  • 31a-T-7 Au吸着Si表面におけるファセット形成のREM法による研究
    青木 恒勇; 鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 1997年03月17日
  • 29a-PS-25 Si(113)表面のTED観察III
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集, 1997年03月17日
  • Si(113)表面のTEM-TED観察II
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1996年09月13日
  • 3a-J-7 Si高指数表面のTEM-TED観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集. 年会, 1996年03月15日
  • 28p-PSB-24 Si微斜面のステップ構造のREM観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集. 年会, 1995年03月16日
  • 28p-PSB-22 Si(5 5 12)面のSTM観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘樹; 谷城 康眞; 八木 克道; 末吉 孝; 佐藤 智重; 岩槻 正志
    日本物理学会講演概要集. 年会, 1995年03月16日
  • 3a-Q-3 Si(hhm)(m/h=1.4-1.5)面のSTM観察
    鈴木 孝将; 箕田 弘喜; 谷城 康眞; 八木 克道; 北田 秀樹; 清水 紀嘉
    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1994年08月16日
  • 2p-PSA-31 Si円筒穴表面のREM観察IV
    鈴木 孝将; 谷城 康真; 箕田 博喜; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1994年08月16日
  • 29p-PBS-3 Si円筒穴表面のREM観察
    鈴木 孝将; 谷城 康眞; 箕田 弘喜; 鈴木 峰晴; 八木 克道
    日本物理学会講演概要集. 年会, 1993年03月16日
■ 書籍等出版物
  • 表面物性工学ハンドブック第２版 第14章、3.3節「微傾斜面におけるステップ配列」
    鈴木孝将; 編集者; 小間篤; 青野正和; 石橋幸治; 塚田捷; 常行真司; 長谷川修司; 八木克道; 吉信淳, 共著, 588-590
    丸善, 2007年02月
  • ミクロの世界・物質編 目で観る物性論
    鈴木孝将; 八木克道; 編集者; 社; 日本電子顕微鏡学会, 共著, 260-261
    学際企画, 1998年03月
■ 所属学協会
  • 日本物理学会
  • 日本表面真空学会
■ 共同研究・競争的資金等の研究課題
  • 表面超伝導体上の2次元金属有機構造体によって誘起された表面構造相転移の研究
    領域別研究部, 2次元金属有機構造体研究チーム
    2018年04月01日 - 2021年03月31日
  • 個々の有機分子を自己組織的に配列させた超高密度記録媒体
    領域別研究部, ナノ分子デバイス研究チーム
    2015年04月01日 - 2018年03月31日
  • 半導体の材料と製造工程に関する研究
    推奨研究プロジェクト, 集積回路研究チーム
    2015年04月01日 - 2018年03月31日
  • 個々の有機分子を自己組織的に配列させた超高密度記録媒体の試作
    日本学術振興会, 科学研究費, 基盤研究C
    2015年04月01日 - 2018年03月31日
  • オージェ電子分光機能付き低速電子線回析装置一式
    私立大学等研究設備整備費補助金
    2016年04月01日 - 2017年03月31日
  • Fabrication of plasmonic metal nano-structures for photocurrent generation drawing an innovation for design of thin-film solar cells
    日本学術振興会, 科学研究費, 基盤研究C
    2013年04月01日 - 2016年03月31日
  • Si表面上のペンタセン分子の薄膜成長過程と電気伝導特性に関する研究
    領域別研究部, ナノエレクトロニクス研究チーム
    2012年04月01日 - 2015年03月31日
  • 金属及び半導体上に形成する同一性酸化シリコン単分子層の構造とバンドギャップ
    日本学術振興会, 科学研究費, 基盤研究C
    2012年04月01日 - 2014年03月31日
  • Graphene膜上の多環芳香族分子の化学吸着構造と電気伝導特性に関する研究
    大学院教育研究高度化推進経費
    2011年04月01日 - 2012年03月31日
  • 半導体表面上の多環芳香族分子の化学吸着構造と電気伝導特性に関する研究
    松籟科学技術振興財団
    2010年12月 - 2011年12月
  • 超高真空ホログラフィー電子顕微鏡によるSi高指数表面の研究
    日本学術振興会, 日本学術振興会特別研究員奨励費, PD
    1998年04月01日 - 2000年03月31日
  • 微斜面及び高指数Si表面のREM-RHEED、STM-STS法による研究
    日本学術振興会, 日本学術振興会特別研究員奨励費, DC1
    1995年04月01日 - 1998年03月31日