Photoluminescence and scintillation properties of rare-earth-doped SrTa2O6 single crystals
Yuta Tominaga; Takumi Kato; Akihiro Nishikawa; Keiichiro Miyazaki; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi; Takayuki Yanagida
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 15 Jun. 2026, 37(17), Refereed
Lead

Near-infrared (NIR) scintillation properties of Nd-doped SrTa2O6 single crystals
Yuta Tominaga; Takumi Kato; Akihiro Nishikawa; Keiichiro Miyazaki; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi; Takayuki Yanagida
Journal of Luminescence, May 2026, 293:121805 - 121805, Refereed
Lead

Performance of Eu3+-doped Garnet Scintillator–Silicon Photodiode Systems for Nuclear Photovoltaic Battery Applications
Toshiaki Kunikata; Kai Okazaki; Hiromi Kimura; Yuta Tominaga; Takumi Kato; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi; Takayuki Yanagida
Sensors and Materials, 06 Feb. 2026, 38(2):747 - 747, Refereed

Power Generation Characteristics of Cr-doped Al2O3 Transparent Ceramics for Nuclear Battery Application
Takayuki Yanagida; Keita Miyajima; Kai Okazaki; Yuta Tominaga; Akihiro Nishikawa; Kensei Ichiba; Takumi Kato; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi
Sensors and Materials, 06 Feb. 2026, 38(2):753 - 753, Refereed

Photoluminescence and scintillation properties of the GaN substrate
Yuta Tominaga; Takumi Kato; Akihiro Nishikawa; Keiichiro Miyazaki; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi; Yukiharu Uraoka; Takayuki Yanagida
Optical Materials, Jan. 2026, 169:117697 - 117697, Refereed
Lead

Photoluminescence and scintillation properties of Tb-doped SrTa₂O₆ single crystals
Yuta Tominaga; Takumi Kato; Akihiro Nishikawa; Keiichiro Miyazaki; Daisuke Nakauchi; Noriaki Kawaguchi; Takayuki Yanagida
Journal of the Ceramic Society of Japan, 01 Jun. 2025, 133(6):250 - 254, Refereed
Lead

Influence of carbon impurities and oxygen vacancies in Al2O3 film on Al2O3/GaN MOS capacitor characteristics
Mutsunori Uenuma; Kiyoshi Takahashi; Sho Sonehara; Yuta Tominaga; Yuta Fujimoto; Yasuaki Ishikawa; Yukiharu Uraoka
AIP Advances, 01 Oct. 2018, 8(10), Refereed

異なるCr濃度を有するルビー透明セラミックスシンチレータのRI電池発電特性評価
柳田健之; 宮島渓太; 岡崎魁; 冨永雄太; 西川晃弘; 市場賢政; 加藤匠; 中内大介; 河口範明
73回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2026

Yb添加SrTa2O6単結晶の光学及びシンチレーション特性評価
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 柳田健之
第73回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2026

フローティングゾーン法を用いて作製したNd 添加SrTa2O6単結晶の光学およびシンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮崎慧一郎; 中内大介; 河口範明; 柳田健之
日本セラミックス協会 2026 年年会, Mar. 2026

Photoluminescence and scintillation properties of Nd-doped SrTa2O6 single crystals
Tominaga; T. Kato; A. Nishikawa; K. Miyazaki; D. Nakauchi; N. Kawaguchi; T. Yanagida
The 10th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2025), Oct. 2025

Nd添加SrTa2O6単結晶の近赤外シンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 柳田健之
第86回 応用物理学会 秋季学術講演会, Sep. 2025

GaN基板の光学特性およびシンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 浦岡行治; 柳田健之
量子エネルギー変換研究会 第2回研究会, Jul. 2025

n-GaN/自立GaN 基板の光学特性およびシンチレーション特性評価
冨永雄太, 加藤匠, 西川晃弘, 宮崎慧一郎, 中内大介, 河口範明, 浦岡行治, 柳田健之
セラミックス協会2025年年会, Mar. 2025

GaN基板のシンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 浦岡行治; 柳田健之
第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025

Photoluminescence and scintillation properties of n-GaN/free-standing n+-GaN substrates
Y. Tominaga; T. Kato; A. Nishikawa; K. Miyazaki; D. Nakauchi; N. Kawaguchi; Y. Uraoka; T. Yanagida
The 9th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2024), Dec. 2024

Scintillation properties of Tb-doped SrTa2O6 single crystals
Y. Tominaga; T. Kato; A. Nishikawa; K. Miyazaki; D. Nakauchi; N. Kawaguchi; T. Yanagida
The 15th Asian Conference On Chemical Sensors, Nov. 2024

改良型スパッタリング法におけるガス条件がPtナノ結晶作製に与える影響
梶原幸哉; 鈴宮そら; 大塚壮馬; 大谷直; 渡邉力; 冨永雄太; 松澤杏美; 西田貴司
第77回 電気・情報関係学会九州支部連合大会, Sep. 2024

改良型スパッタリング法によるPbTiO3のナノ結晶育成におけるアニール処理温度の影響
鈴宮そら; 梶原幸哉; 大谷 直; 大塚壮馬; 細井智也; 松澤杏美; 冨永雄太; 西田貴司
第77回 電気・情報関係学会九州支部連合大会, Sep. 2024

Tb添加SrTa2O6単結晶のシンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 柳田健之
第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, Sep. 2024

Tb添加SrTa2O6単結晶のPL特性およびシンチレーション特性
冨永雄太; 加藤匠; 西川晃弘; 宮﨑慧一郎; 中内大介; 河口範明; 柳田健之
応用物理学会 極限的励起状態の形成と量子エネルギー変換研究グループ 第15回研究会, Jun. 2024

Effects of ALD - Precursor on Al2O3/GaN MOS Characteristics
Mutsunori Uenuma; Kiyoshi Takahashi; Sho Sonehara; Yuta Tominaga; Yuta Fujimoto; Yasuaki Ishikawa; Yukiharu Uraoka
International Workshop on Nitride Semiconductors, Nov. 2018

堆積前処理がSiO2/n-GaN界面特性に与える影響
赤野拓哉, 上沼 睦典, 冨永雄太, 石河 泰明, 浦岡 行治
第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017

高圧水蒸気処理によるSiO2/GaN MOS界面制御および絶縁膜の改質
冨永雄太, 上野勝典, 上沼睦典, 藤本裕太, 石河泰明, 浦岡行治
先進パワー半導体文科会第3回講演, Nov. 2016

高圧水蒸気処理を施したSiO2/GaN縦型MOSキャパシタの電気的特性評価
冨永雄太; 上野勝典; 吉嗣晃治; 多田雄貴; 石河泰明; 浦岡行治
第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016

Deposition of ZnO nanocrystals on atomically flat sapphire surface by sputtering
Takashi Nishida; Hiroki Fure; Hironori Yoshida; Ryotaro Tsujino; Yuta Tominaga; Ryo Kobe
第25回日本MRS年次大会, Dec. 2015

高圧水蒸気を用いて熱処理したGaN MIS構造の電気的特性評価
吉嗣晃治, 堀田昌宏, 多田雄貴, 冨永雄太, 石河泰明, 浦岡行治
先進パワー半導体文科会第2回講演, Nov. 2015

GaN系MOSデバイスへの応用に向けたSiO2ゲート絶縁膜の堆積手法の検討
冨永雄太; 上野勝典; 吉嗣晃治; 多田雄貴; 石河泰明; 浦岡行治
先進パワー半導体文科会第2回講演, Nov. 2015

スパッタリング法を用いたα-Al2O3基板上へのZnOナノ結晶育成および結晶性・表面構造の解析
触浩貴; 吉田裕則; 辻野椋太郎; 冨永雄太; 小部椋; 西田貴司
第68回 電気・情報関係学会九州支部連合大会, Sep. 2015

Evaluation of Crystal Defects in Pb(Zr, Ti)O3 Films and Fabrication of High Quality Nanocrystal Films
Yuta Tominaga; Takashi Nishida; Kosuke Takata
IUMRS-ICA 2014, Aug. 2014

Growth of Ferroelectric and Conductive Atomically Flat Layer on Sapphire Substrate for Nanosize Measurement of Ferroelectric Nanocrystal
Yuta Tominaga, Takashi Nishida, Kosuke Takata
IUMRS-ICA 2014, Aug. 2014

Fabrication of BST Tunable Capacitor on Sapphire and Evaluation or Defect Properties
Takashi Nishida, Yuta Tominaga, Kosuke Takata
IUMRS-ICA 2014, Aug. 2014

Fabrication and Analysis of Microwave Tunable Device using BST Thin Films on Sapphire
Takashi Nishida; Yuta Tominaga; Kosuke Takata
IUMRS-ICA 2014, Aug. 2014